Samsung yüksek bant genişliği, düşük gecikme süresi ve düşük güç tüketimini bir araya getirmek amacıyla geliştirdiği Low Latency Wide I/O (LLW) DRAM çözümünü teknoloji severlerin beğenisine sundu. Şirket yeni belleğini cihaz üzerinde büyük dil modellerini (LLM’ler) çalıştıracak cihazlar için konumlandırıyor, ancak bu tür DRAM’ler gelecekte çok çeşitli alanlarda kullanılabilir.
Samsung’un LLW DRAM’i geniş I/O, düşük gecikme süresi ve modül başına 128 GB/sn bant genişliğine sahip düşük güçlü bir bellek çözümü. 128 GB/sn’lik hızı kıyaslayacak olursak, 128-bit DDR5-8000 bellek alt sistemi 128 GB/sn’ye benzer şekilde bant genişliği sunabiliyor. Yani diyebiliriz ki yeni düşük güç tüketen çözüm oldukça hızlı.
Bu arada, LLW DRAM’in 1.2pJ/bit’lik düşük güç tüketimine sahip olduğu belirtiliyor. Ancak Samsung, LLW DRAM’in düşük güç tüketimini hiçbir iş yüküyle ve veri aktarım hızıyla bağdaştırmadı.
Gelişim sürdüğü için LLW DRAM hakkında pek fazla detay verilmedi. Samsung bir süredir geniş arayüzlü bellekler (örneğin GDDR6W) üzerinde çalışmalar yapıyordu. Teknoloji devi, LLW ile elde ettiği deneyimleri GDDR6W gibi grafik çözümlerinde de kullanabilir.
